12 月 21 日消息，三星電子今日宣布，已成功開發(fā)出其首款采用 12 納米(nm)級工藝技術(shù)打造的 16Gb DDR5 DRAM，并與 AMD 一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。
三星表示，這一技術(shù)突破是通過使用一種新的高介電(high-k)材料來增加電池電容，以及改進(jìn)關(guān)鍵電路特性的專利設(shè)計(jì)技術(shù)而實(shí)現(xiàn)的。
三星數(shù)據(jù)顯示，結(jié)合先進(jìn)的多層極紫外(EUV)光刻技術(shù)，新款 DRAM擁有三星最高的 Die 密度(Die density)，可使晶圓生產(chǎn)率提高 20%。基于 DDR5 最新標(biāo)準(zhǔn)，三星 12nm 級 DRAM將解鎖高達(dá) 7.2 千兆每秒(Gbps)的速度。
能效方面，與上一代三星 DRAM 產(chǎn)品相比，12nm 級 DRAM 的功耗降低約 23%。
IT之家了解到，隨著 2023 年新款 DRAM 量產(chǎn)，三星計(jì)劃將這一基于先進(jìn) 12nm 級工藝技術(shù)的 DRAM 產(chǎn)品擴(kuò)展到更廣泛的市場領(lǐng)域。
