轉(zhuǎn)自公眾號(hào)“微揚(yáng)智源”
IEEE國(guó)際電子器件會(huì)議（International Electron Devices Meeting, IEDM）是半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的全球頂級(jí)學(xué)術(shù)會(huì)議，被譽(yù)為該領(lǐng)域的“奧林匹克盛會(huì)”。近日，2025年IEDM大會(huì)入選論文名單正式公布，論文總數(shù)再創(chuàng)新高。本文將通過(guò)關(guān)鍵數(shù)據(jù)深度解讀全球研究格局。
全球概覽：論文數(shù)量再破紀(jì)錄，高?？蒲袡C(jī)構(gòu)貢獻(xiàn)超七成
2025年IEDM入選論文達(dá)到298篇，較去年（2024年274篇）增長(zhǎng)8.7%，再次突破歷史紀(jì)錄，顯示出全球半導(dǎo)體研究的持續(xù)創(chuàng)新能力。從機(jī)構(gòu)類型來(lái)看，高校與研究機(jī)構(gòu)是絕對(duì)主力，貢獻(xiàn)了75% 的論文，企業(yè)貢獻(xiàn)約25%。
全球TOP10 ：最具影響力的入選機(jī)構(gòu)盤點(diǎn)
全球頂尖機(jī)構(gòu)的入選論文數(shù)量排名競(jìng)爭(zhēng)異常激烈。按照第一作者所在機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，北京大學(xué)入選21篇，以絕對(duì)優(yōu)勢(shì)繼續(xù)蟬聯(lián)全球第一，彰顯其在國(guó)際領(lǐng)域的頂尖地位。隨后依次為比利時(shí)微電子中心（19篇）、佐治亞理工學(xué)院（13篇）、韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（12篇）、三星電子（12篇）、臺(tái)積電（9篇）、新加坡國(guó)立大學(xué)（9篇）、IBM研究院（8篇）、斯坦福大學(xué)（8篇）、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所（8篇）。
中美對(duì)比：入選論文數(shù)量解析
IEDM 2025中國(guó)入選論文共101篇，其中中國(guó)內(nèi)地67篇、中國(guó)臺(tái)灣27篇、中國(guó)香港7篇。
按照第一作者所在機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，中國(guó)內(nèi)地的67篇論文來(lái)自20個(gè)機(jī)構(gòu)。北京大學(xué)21篇（較去年增加6篇）、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所8篇（較去年增加2篇）、清華大學(xué)6篇、南京大學(xué)（4篇）、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)（4篇）、東南大學(xué)（3篇）、上海交通大學(xué)（3篇）、西安電子科技大學(xué)（3篇）、北京航空航天大學(xué)（2篇）、山東大學(xué)（2篇）、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（2篇）、北京理工大學(xué)（1篇）、復(fù)旦大學(xué)（1篇）、杭州領(lǐng)摯科技有限公司（1篇）、華中科技大學(xué)（1篇）、南方科技大學(xué)（1篇）、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司（1篇）、西湖大學(xué)（1篇）、浙江大學(xué)（1篇）和中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所（1篇）。其中，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）、杭州領(lǐng)摯科技有限公司、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司（與小米通訊合作）集中展示了在存儲(chǔ)、生命科學(xué)與射頻等領(lǐng)域的最新突破，展現(xiàn)了中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的創(chuàng)新實(shí)力。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在3D FeRAM與新型多層堆疊DRAM雙突破。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)首次實(shí)現(xiàn)單片集成的堆疊式鐵電存儲(chǔ)（3D FeRAM），提出兩層水平堆疊的1T1C三維架構(gòu)，配備雙柵極多晶硅選擇晶體管，展現(xiàn)出優(yōu)異的性能與耐久性，為低功耗非易失性存儲(chǔ)奠定基礎(chǔ)（12-1 | First Experimental Demonstration of Monolithically Stacked FeRAM with Dual-Gate Poly-Si Access Transistors and Horizontal Ferroelectric Capacitors）。此外，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還展示了全球首個(gè)BEOL集成的多層DRAM架構(gòu)，基于IGZO溝道晶體管完成實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，并在優(yōu)化性能與可靠性方面取得突破，為未來(lái)高性能DRAM的發(fā)展開辟新路徑（29-3 | High Performance and Robust Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM with Multi-tiered Architecture）。
IEDM 2025美國(guó)入選論文共74篇，按照第一作者所在機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，74篇論文來(lái)自28個(gè)機(jī)構(gòu)。排在前5的分別是佐治亞理工學(xué)院（13篇）、IBM研究院（8篇）、斯坦福大學(xué)（8篇）、普渡大學(xué)（6篇）、圣母大學(xué)（4篇）。
機(jī)構(gòu)畫像：中美科研力量的類型分布對(duì)照
按照第一作者所在機(jī)構(gòu)類型統(tǒng)計(jì)，在中國(guó)內(nèi)地的入選論文貢獻(xiàn)中，高校占據(jù)了絕對(duì)主導(dǎo)（約81%），而企業(yè)占比相對(duì)較低。這反映出國(guó)內(nèi)強(qiáng)大的學(xué)術(shù)研發(fā)能力，同時(shí)也暗示了從“學(xué)術(shù)論文”到“產(chǎn)業(yè)成果”的轉(zhuǎn)化路徑仍有提升空間。反觀美國(guó)，其企業(yè)界的貢獻(xiàn)占比（約33%）顯著更高。IBM研究院、英特爾、高通、美光科技、應(yīng)用材料等巨頭在IEDM上比較活躍，積極展示其最新的技術(shù)突破。這不僅體現(xiàn)了其深厚的技術(shù)儲(chǔ)備，更是一種將前沿研究成果與市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)力綁定的戰(zhàn)略展示。
IEDM 2025會(huì)議將于2025年12月6日至10日在美國(guó)舊金山舉行。
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關(guān)鍵詞： 論文 領(lǐng)跑 存儲(chǔ) 長(zhǎng)鑫 第一 全球 蟬聯(lián) 21篇 首發(fā) 北京大學(xué)
