12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應用于傳統工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領域。

面向儲能逆變器市場，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開關頻率，降低了開關損耗和導通損耗，減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達到降低系統成本、提升系統效率的目的。

國星光電 NS62m 功率模塊采用標準型封裝，半橋拓撲設計，內置 NTC 熱敏電阻，可實現溫度監控;采用 62mm 尺寸標準基板和接口，可兼容行業內各大主流產品，實現快速替換使用;具有 150℃的連續工作溫度 (Tvjop) 和優秀的溫度循環能力，器件可靠性表現卓越。

NS62m 功率模塊以半橋電路結構應用于逆變器中。在實際應用中，一般會以 2 個或 3 個 NS62m 功率模塊并聯的形式構成單相全橋拓撲或三相橋拓撲，將直流電變成頻率、幅值可調的交流電，實現逆變功能。基于 NS62m 功率模塊內 SiC MOSFET 的體二極管具有出色的開關特性和反向恢復性能，因此在無需額外搭配二極管器件，更可滿足多數場景下的續流要求。

如圖中橙色框圖部分所示，每個框圖代表一個 NS62m 功率模塊，此圖為 2 個 NS62m 功率模塊并聯的形式構成單相全橋拓撲。

NS62m 功率模塊在工作時可達到更高的開關頻率、更低的開關損耗，同時，可幫助變換器系統效率的提升和散熱結構成本的降低。

IT之家獲悉，根據實驗數據可得，與市場同等電流規格的產品對比，NS62m 功率模塊動態特性開通延遲時間減少 79 納秒;上升時間減少 42 納秒;關斷延遲時間減少 468 納秒。開啟損耗降低 82%，關斷損耗降低 92%，整體開關損耗表現優秀。

針對傳統工控、儲能逆變、充電樁等應用領域的需求，國星光電 NS62m SiC MOSFET 模塊系列型號豐富，可供選擇。依托國星光電先進的第三代半導體器件生產線，公司可響應不同封裝及規格的 SiC 功率模塊定制開發需求，為客戶提供高質量的定制化產品服務。

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