7 月 27 日消息，昨晚，美光公司宣布全球首款 232 層 NAND 已在該公司的新加坡工廠量產，初期將以封裝顆粒形式通過 Crucial 英睿達 SSD 消費產品線向客戶發貨。

現在，美光發文介紹了232 層 NAND 的相關技術。

官方表示，該技術節點達到了現今業界最快的 NAND I / O 速度：2.4 GB / s，比美光 176 層制程節點所提供最高速的介面數據傳輸速度快 50%。與前一代產品相比，美光 232 層 NAND 的每晶粒寫入頻寬提高 100%，讀取頻寬亦增加超過 75%。

此外，美光 232 層 NAND 引進全球首款六平面(6-Plane) TLC 生產型 NAND，是所有 TLC 閃存中每晶粒擁有最多平面的產品，且每個平面都有獨立的讀取能力。

232 層 NAND 的精巧外形不僅賦予客戶在設計上的彈性，也實現了有史以來最高的 TLC 密度(14.6 Gb / mm2)，其單位儲存密度較目前市場上的 TLC 競品相比高出 35% 至 100%。232 層 NAND 并采用比美光前幾代產品小 28% 的新封裝尺寸，11.5mm x 13.5mm 的封裝使其成為目前最小的高密度 NAND，在更小的空間內實現更高的容量也有助于大幅降低應用時所占據的主板空間。

美光的 232 層 NAND 也是首款在生產中支援 NV-LPDDR4 的產品，此低電壓介面與過去的 I / O 介面相比可節省每位元傳輸逾 30%。

美光表示，232 層 NAND 突破性功能將助客戶在資料中心、更輕薄的筆記型電腦、最新的移動裝置和整個智慧邊緣領域提供更多創新解決方案。

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