7 月 16 日消息，據 Sammobile 報道，三星副總裁 Younggwan Ko 最近在韓國水原舉行的一次研討會上表示，隨著存儲半導體變得更強大，封裝技術必須與存儲半導體一起發展。將 MSAP 工藝應用于其 DDR6 內存芯片將允許三星制造具有更精細電路的芯片。

另據The Elec 報告稱，三星的競爭對手已經將 MSAP 封裝技術用于 DDR5 內存，而三星正在努力將這種封裝技術用于 DDR6。

傳統的封裝方法只把要形成電路圖案的區域進行涂覆，而將其他區域蝕刻掉。 但在 MSAP 封裝中，除了電路之外的區域都經過涂層處理，而空白區域則進行了電鍍，從而可以實現更精細的電路。

IT之家了解到，三星于本周早些時候推出了其首款用于顯卡的 24Gbps GDDR6 DRAM 芯片，報道稱，該公司處于 DDR6 開發的早期階段，根據去年的一份報告，其 DDR6 設計可能會在 2024 年完成。

預計 DDR6 的速度是 DDR5 的兩倍，內存通道數也是 DDR5 的兩倍。DDR6(JEDEC)可以實現大約12800Mbps的傳輸速率，或支持超頻到17000Mbps。

目前，三星最快的 DDR5 DIMM 具有高達 7200 Mbps 的傳輸速度，因此 DDR6 將提高 0.7 倍，超頻下將提高1.36 倍。

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