近日，根據(jù)消息顯示，西部數(shù)據(jù)公司今天正式宣布了新一代閃存技術(shù)BiCS5，這是西數(shù)與鎧俠聯(lián)合開發(fā)而成的，在原有96層堆棧BiCS4基礎(chǔ)上做到了112層堆棧，有TLC及QLC閃存兩種類型，最高核心密度1.33Tb，是目前存儲(chǔ)密度最高的產(chǎn)品。

西部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)芯片技術(shù)和制造高級(jí)副總裁Steve Paak博士表示，在進(jìn)入下一個(gè)十年的時(shí)候，一種新型的3D閃存對(duì)持續(xù)滿足不斷增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)容量及速率的需求至關(guān)重要，而BiCS5的成功研發(fā)體現(xiàn)了西數(shù)在閃存技術(shù)上的領(lǐng)導(dǎo)地位及路線圖的強(qiáng)大執(zhí)行力。

BiCS5閃存是西數(shù)目前最先進(jìn)、密度最高的3D NAND閃存，通過(guò)采用第二代多層存儲(chǔ)孔、改進(jìn)工藝及其他3D NANDg功能等手段顯著提升了存儲(chǔ)芯片的橫向存儲(chǔ)密度，再加上112層縱向堆棧，使得BiCS5與之前96層堆棧的BiCS4閃存技術(shù)有了明顯提升，存儲(chǔ)容量提升40%，IO性能提升了50%，同時(shí)優(yōu)化了成本。

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