三星宣布成功開發出界首個12層3D-TSV(直通硅通孔)技術。這是業界首個將3D TSV封裝推進到12層的工藝，而此前最大僅為8層。

3D-TSV最多用在HBM顯存上，這種技術通過芯片內部的打孔填充金屬導電材料實現多層芯片互聯，其速度更快，密度更高。三星此次公布的12層DRAM封裝工藝需要在720微米厚的芯片上打超過60000個TSV孔，這些孔的尺寸僅為人頭發絲的二十分之一。

相比于8層HBM2，其芯片厚度相同，但是能夠增加DRAM容量。廠商也無需調整系統配置。三星相關負責人表示，隨著AI、高性能計算等領域的高速發展，確保超高性能存儲器所有復雜性的封裝技術正在變得越來越重要。而伴隨著摩爾定律達到極限，3D-TSV所扮演的角色將越來越關鍵。我們希望站在這一最新芯片封裝技術的最前沿。

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