4 月 25 日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報道，該國東北大學吉川彰教授與初創(chuàng)企業(yè)合作，研發(fā)新一代半導體材料-氧化鎵的新制造技術(shù)，成本約為傳統(tǒng)方法的百分之一。

傳統(tǒng)方法是加熱使用貴金屬銥制造的容器，熔化其中的材料，制造結(jié)晶。要制造直徑約 15 厘米的實用性結(jié)晶，僅容器就需要 3000 萬～5000 萬日元(約 253 萬元人民幣)，還存在結(jié)晶的質(zhì)量不夠穩(wěn)定等課題。據(jù)稱由于不需要昂貴的容器等原因，利用新方法能以目前約 100 分之 1 的成本制造氧化鎵結(jié)晶。

該團隊表示將力爭在 2 年內(nèi)制造出直徑 6 英寸以上的結(jié)晶，推動產(chǎn)業(yè)化。

IT之家了解到，氧化鎵作為功率半導體新一代材料受到期待，據(jù)稱氧化鎵的電力損耗在理論上僅為硅的約 1/3400、碳化硅的約 1/10。如果純電動汽車(EV)的馬達驅(qū)動用電源采用氧化鎵制的功率半導體，就算電池容量相同，也能行駛更遠距離。C&A 和東北大學的團隊將利用新方法降低此前成為瓶頸的生産成本，推動實用化。

TrendForce 預估，因疫情趨緩，所帶動的 5G 基地臺射頻前端、手機充電器及車用能源傳輸?shù)刃枨笾鸩教嵘A期今年 GaN 通訊及功率元件營收分別達 6.8 億和 6100 萬美元，年增 30.8% 及 90.6%。

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