該傳感器基于低增益雪崩放大二極管(Low-Gain Avalanche Diode, LGAD)。經 ATLAS 合作組與 RD50 合作組測試，該傳感器是目前抗輻照性能最好的 LGAD 硅超快傳感器，達到 ATLAS 實驗高顆粒度高時間分辨探測器項目(High Granularity Timing Detector，HGTD)的要求。
據介紹，該研究在原有 LGAD 硅超快傳感器工藝上增加了碳摻雜工藝，降低了輻照引起硅傳感器中硼摻雜的移除速率，提高了抗輻照性能。
該項目研發的硅超快傳感器，超快讀出芯片和大面積超快探測器集成等均是國際前沿的新技術。以高能所為主體的中國組將承擔 HGTD 項目超過 1/3 的傳感器研制，近一半的探測器模塊研制，與全部的前端電路板研制。
IT之家了解到，該項目得到國家自然科學基金委員會、核探測與核電子學國家重點實驗室等的支持。
該傳感器基于低增益雪崩放大二極管(Low-Gain Avalanche Diode, LGAD)。經 ATLAS 合作組與 RD50 合作組測試，該傳感器是目前抗輻照性能最好的 LGAD 硅超快傳感器，達到 ATLAS 實驗高顆粒度高時間分辨探測器項目(High Granularity Timing Detector，HGTD)的要求。
據介紹，該研究在原有 LGAD 硅超快傳感器工藝上增加了碳摻雜工藝，降低了輻照引起硅傳感器中硼摻雜的移除速率，提高了抗輻照性能。
該項目研發的硅超快傳感器，超快讀出芯片和大面積超快探測器集成等均是國際前沿的新技術。以高能所為主體的中國組將承擔 HGTD 項目超過 1/3 的傳感器研制，近一半的探測器模塊研制，與全部的前端電路板研制。
IT之家了解到，該項目得到國家自然科學基金委員會、核探測與核電子學國家重點實驗室等的支持。
