11 月 18 日消息，近期納微半導(dǎo)體宣布，采用全新 GaNSense 技術(shù)的 GaNFast 氮化鎵功率芯片已正式發(fā)布。這也是全球首款智能 GaNFast 氮化鎵功率芯片，它將能更有效地解決適配器的發(fā)熱問題，同時(shí)還能繼續(xù)保持安全、穩(wěn)定、高功率的充電體驗(yàn)，讓原來采用 GanFast 氮化鎵功率芯片的充電器使用體驗(yàn)得到進(jìn)一步提升。
此外，如果氮化鎵功率芯片識(shí)別到有潛在的系統(tǒng)危險(xiǎn)，該芯片將迅速過渡到逐個(gè)周期的關(guān)斷狀態(tài)，以保護(hù)器件和周圍系統(tǒng)。GaNSense 技術(shù)還集成了智能待機(jī)降低功耗功能，在氮化鎵功率芯片處于空閑模式時(shí)，自動(dòng)降低待機(jī)功耗，有助于進(jìn)一步降低功耗。
憑借嚴(yán)格的電流測(cè)量精度和 GaNFast 響應(yīng)時(shí)間，GaNSense 技術(shù)縮短 50% 的危險(xiǎn)時(shí)間，危險(xiǎn)的過電流峰值降低 50%。GaNFast 氮化鎵功率芯片單片集成提供了可靠的、無故障的操作，沒有“振鈴”，從而提高了系統(tǒng)可靠性。
IT之家獲悉，采用 GaNSense 技術(shù)的新一代納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片有十個(gè)型號(hào)，都集成了氮化鎵功率器件、氮化鎵驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)的核心技術(shù)，所有產(chǎn)品的額定電壓為 650V/800V，具有 2kV ESD 保護(hù)。新的 GaNFast 功率芯片的 RDS (ON) 范圍為 120 至 450 毫歐，采用 5 x 6 mm 或 6 x 8 mm PQFN 封裝，具有 GaNSense 保護(hù)電路和無損電流感應(yīng)。
作為納微第三代氮化鎵功率芯片，針對(duì)現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化，包括高頻準(zhǔn)諧振反激式(HFQR)、有源鉗位反激式(ACF)和 PFC 升壓，這些都是移動(dòng)和消費(fèi)市場(chǎng)內(nèi)流行的提供最快、最高效和最小的充電器和適配器的技術(shù)方法。
截止至 2021 年 10 月，納微半導(dǎo)體已出貨超過 3000 萬顆納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片，在現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試實(shí)現(xiàn)了超過 1160 億個(gè)設(shè)備小時(shí)，并且沒有任何關(guān)于 GaN 現(xiàn)場(chǎng)故障的報(bào)告。
與傳統(tǒng)的硅功率芯片相比，每顆出貨的 GaNFast 氮化鎵功率芯片可以減少碳足跡 4-10 倍，可節(jié)省 4 千克的二氧化碳排放。而在目標(biāo)市場(chǎng) —— 智能手機(jī)和筆記本電腦快充充電器市場(chǎng)等 —— 估計(jì)每年會(huì)有 20 億美元的氮化鎵市場(chǎng)機(jī)會(huì)，以及每年 20 億美元的消費(fèi)市場(chǎng)機(jī)會(huì)。
